铜保持二极管机关器的温度，在微电子封装模具除了传统的散热，更苛刻的应用是铜/ 钨或钨铜金属基复合材料（MMC）的半导体激光二极管的坐骑和底座。目前，大多数半导体激光二极管的安装上安装或WCU制成的热沉。东莞同合钨铜材料告诉你，改进散热器和模具之间的热膨胀匹配，再加上目前的趋势，增加芯片尺寸和功率耗散要求，取得了钨铜包装激光二极管的首选材料。大于1000微米，在任何方向，这是尤其如此。铜/钨提供了急需的散热和良好的热膨胀匹配。一些激光二极管直接装上氧自由基的高纯度铜，铍或氮化铝陶瓷基板上，甚至钻石基板上。
东莞同合钨铜告诉你，大部分受益于功率半导体激光二极管的波长在800至1550 nm范围内制造新的钨铜散热器基地的表现有所改善。应用范围包括医疗，科研，基于光纤通信网络，等等。
变化规则
东莞同合钨铜告诉你，一般的， 钨铜电子封装片 提供热传导之间的170和220 W / mK的降低热膨胀系数相匹配的半导体二极管制造死亡（5.6-9.0 PPM/℃）。激光模具通常是建立在砷化镓（GaAs）基板使用，如分子束外延或有机金属化学气相沉积过程。最后的化学成分可能包括铟镓砷化物（砷化铟镓），铟铝砷化镓（InAlGaAs），铝砷化镓（AlGaAs多），砷化铟镓磷化物（的InGaAsP），或铟磷化镓铟（InGaP）。最近，铟镓氮化物（InGaN）激光器已使用一层外延横向杂草丛生的氮化镓之间的蓝宝石和半导体相匹配的晶格能在蓝宝石基板制造。
不同的钨铜底座由模具压制成采用不同的技术工艺。Different copper tungsten (WCu) mounts were modeled using the finite boundary value solution technique. 性能比高的使用基线和高纯度铜160-W/mK的高端性能的钨铜材料（导热=398 W / MK）。基于热阻减少，19.1％的改善，将得到200-W/mK材料。功能梯度为320-W/mK材料约47.54％，提供了56.88％，超过标准的改善与高端材料在结温也相应减少。使用功能梯度材料（功能梯度材料）技术的发展推动了铜/钨大约320 W / mK的热导率水平的性能信封。这种性能水平相比于铜的导热性能。这些导热性能的常见的使用方案即为钨与铜的材料。
